三星领衔存储芯片涨价潮,DRAM最高涨幅30%引爆行业变革
全球存储市场迎来新一轮涨价潮,三星、美光等巨头集体上调价格,背后是AI革命引发的产业链价值重构。
全球最大的存储器制造商三星电子已正式通知客户,计划在第四季度大幅上调DRAM和NAND闪存产品的合约价格。
其中,LPDDR4X、LPDDR5和LPDDR5X等DRAM产品价格 涨幅高达15%至30%,而eMMC和UFS等NAND闪存产品价格也将上涨5%至10%。
01 行业巨头集体行动
三星此次涨价并非孤立行动。美光已通知客户将其产品价格上调20%至30%,并同时 暂停接受新订单。
闪迪也宣布对其NAND闪存产品涨价10%。西部数据甚至将HDD硬盘价格上调5%至10%,并延长了产品交货时间。
这一系列涨价措施表明整个内存行业正面临严重的供需失衡压力。三大原厂(三星、SK海力士、美光)掌控着全球90%的存储市场份额,使其涨价具备强传导效应。
02 涨价背后的结构性转变
此轮涨价反映出内存行业正在经历 结构性转变。供应紧张主要源于两个因素:老产品减产和大型云服务商需求激增。
随着AI PC和下一代智能手机采用LPDDR5/X标准,厂商减少了老产品生产,但新标准产能尚未跟上需求增长。
DDR4内存价格已暴涨50%,甚至出现了价格倒挂DDR5的现象。预计三星的DDR4产能在2026年将降至2025年的20%水平。
03 AI驱动需求激增
AI应用的快速发展是此次存储芯片价格上涨的主要推手。随着AI从“训练”阶段向“推理”及边缘设备延伸,对 大容量DRAM和NAND闪存的需求持续增长。
AI服务器成为存储需求爆发的核心引擎。以NVIDIA Blackwell平台为例,单台AI服务器SSD配置从64TB升级至96TB,HBM3E内存需求同比激增300%。
据IDC预测,2025年全球AI服务器出货量将增长55%,带动DRAM位元需求增长25%,NAND需求增长32%。
04 HBM需求挤压传统产品
高带宽内存(HBM)需求激增成为推高价格的关键因素。各大DRAM厂商纷纷转向AI赛道,优先为英伟达、AMD等AI加速器供应最新产品。
这种优先级调整导致 消费级DRAM供应更加紧张。据Yole Group预测,主要用于AI的HBM市场营收将从2024年的170亿美元增长到2030年的980亿美元,年复合增长率高达33%。
三星目前占据32.7%的DRAM市场份额和32.9%的NAND市场份额,正在努力获得英伟达支持以推广其HBM产品。
05 供需缺口与市场预测
DRAM和NAND的供需结构趋紧,增强了涨价的必要性。 花旗集团预测,明年DRAM和NAND闪存的供应将分别短缺1.8%和4%。
摩根士丹利也预测,明年NAND的供应将短缺高达8%。行业库存周转天数从2024年Q1的112天降至68天,三星DRAM成品库存仅7.5周。
SK海力士HBM库存低至2周,供需格局得到根本性改善。
06 对产业链的影响
内存价格上涨将直接影响消费电子和企业采购成本。智能手机和PC制造商的成本控制将面临挑战。
云服务提供商为扩展其数据中心,纷纷下达大量服务器固态硬盘(SSD)订单,导致供应严重短缺。虽然传统上硬盘(HDD)用于数据中心存储,但随着AI学习和推理所需的存储容量迅速增长,对大容量NAND闪存的需求空前增长。
近线机械硬盘传统上是大规模存储的支柱,但现在正面临严重的供应短缺,交期几乎已排到一年后,这将更高性能但成本更高的SSD推向前沿。
07 国产替代机遇
此次国际存储巨头集体涨价,也为国内存储企业带来了机遇与挑战。2023年中国存储芯片进口额900亿美元,若涨价15%将新增135亿美元成本(约980亿人民币)。
国产替代正在加速推进。 长江存储128层3D NAND良率达95%,全球市占率提升至4%。
长鑫存储19nm DDR4产能占全球13%,LPDDR5已进入小米、传音供应链。兆易创新利基型DRAM毛利率恢复至两位数,车规级产品通过特斯拉认证。
08 未来展望
业界预计,此轮涨价潮将持续到今年年底,甚至持续到明年上半年。短期来看,传统消费电子旺季(Q4)与AI服务器备货潮共振,DRAM合约价每季度可能上涨15%-20%。
中长期来看,2026年Q2后可能出现风险。三星平泽P1厂HBM产能扩至20万片/月,美光纽约HBM封装厂2026年投产,可能引发供应过剩。
技术迭代也在加速,QLC SSD成本下降15%-20%,逐步替代HDD,可能会压制NAND价格涨幅。
行业分析师指出,此次三星涨价并非简单的周期复辟,而是 AI算力革命引发的产业价值重构。
短期看,供需错配推动价格上行;长期看,技术迭代(HBM/3D NAND)与国产替代将重塑竞争格局。
随着AI技术从训练走向推理,存储作为“算力基座”的战略价值愈发凸显,行业正从“规模驱动”转向“价值驱动”的新周期。
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